SK하이닉스, 산학연구 우수발명 5건 선정…차세대 메모리 기술 발굴

  • 서울대 최우석 교수 최우수상…고속 메모리 인터페이스 안정성 높여

  • 연세대 김형준 교수 우수상…차세대 메모리 전극 공정 기술 개발

SK하이닉스는 16일 이천캠퍼스 영빈관에서 ‘2026 산학연구과제 우수발명 시상식’을 개최했다고 밝혔다 사진SK하이닉스 뉴스룸
SK하이닉스는 16일 이천캠퍼스 영빈관에서 ‘2026 산학연구과제 우수발명 시상식’을 개최했다고 밝혔다. [사진=SK하이닉스 뉴스룸]

SK하이닉스가 대학과 공동으로 수행한 연구 가운데 차세대 메모리 기술 경쟁력을 높일 수 있는 우수 발명 5건을 선정했다. 고속 메모리 인터페이스와 차세대 메모리 전극 등 실제 제품 개발로 연결할 수 있는 산학 연구 성과를 발굴해 미래 기술 확보에 나선다는 취지다.

SK하이닉스는 지난 16일 이천캠퍼스에서 '2026 산학연구과제 우수발명 시상식'을 열었다고 밝혔다. 회사는 2013년부터 매년 산학 공동연구 가운데 기술성과 특허 가치가 높은 발명을 선정해 포상하고 있다. 올해는 지난해 출원된 산학특허 26건을 심사해 최우수상 1건과 우수상 1건, 장려상 3건을 선정했다.

최우수상은 서울대 최우석 교수의 '차세대 다중 레벨 신호 전송을 위한 회로 설계' 특허가 받았다. 연산칩과 메모리 사이에서 데이터를 빠르고 효율적으로 주고받는 과정에서 발생하는 전원 잡음을 줄여 고속 데이터 전송의 안정성을 높인 기술이다. 인공지능(AI)과 고성능컴퓨팅 확대로 메모리 인터페이스 속도가 중요해지는 상황에서 활용 가능성을 인정받았다.

우수상은 연세대 김형준 교수의 차세대 메모리용 전극 물질 및 소자 특성 제어 기술이 선정됐다. 별도 소재나 복잡한 추가 공정 없이 공정 조건을 조절해 전극과 소자의 특성을 제어할 수 있는 기술이다. 실제 소자 수준에서 검증을 마쳐 제품 개발에 적용할 수 있는 완성도가 높은 점을 평가받았다.

장려상은 서울대 황철성 교수의 수직형 SOM 셀 증착 공정, 서울과기대 최병준 교수의 차세대 메모리용 전구체 및 공정, 한양대 한재덕 교수의 UFS 5.0 및 차세대 M-PHY 고속 인터페이스 회로 특허가 각각 선정됐다.

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장은 "산학 협력을 통해 발굴된 우수 특허가 국내 반도체 산업의 기술 경쟁력을 높이는 데 기여할 것으로 기대한다"며 "도전적이고 혁신적인 연구가 활발히 이뤄질 수 있도록 적극적인 지원을 이어가겠다"고 말했다.

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