SK하이닉스, 中 우시 확장팹 준공···"생산∙운영 효율 극대화"

미세공정 전환 위한 생산공간 확보

2년간 총 9500억원 투입···D램 생산

SK하이닉스가 18일 중국 우시 반도체 신공장(C2F) 준공식을 개최했다.

C2F는 기존 D램 생산라인인 C2를 확장한 것이다. SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 지난 2016년 생산라인 확장을 결정했다.

'새로운 도약, 새로운 미래'라는 주제로 열린 이날 준공식에는 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 500여명이 참석했다.

SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다.

당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300ｍｍ 팹(FAB)으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해 왔다. 하지만 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해지면서 SK하이닉스는 2017년 6월부터 올해 4월까지 총 9500억원을 투입해 추가로 반도체 생산공간을 확보했다.

이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만8000㎡(길이 316m·폭 180m·높이 51m)의 단층 팹으로, 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. SK하이닉스는 C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 향후 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이다.

강영수 SK하이닉스 우시 FAB담당 전무는 "C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다"며 "기존 C2 공장과 하나의 FAB으로 운영 함으로써 우시 팹의 생산, 운영 효율을 극대화할 것"이라고 말했다.
 

SK하이닉스 중국 우시 제2 D램 공장 조감도. [사진=SK하이닉스 제공]