가천대 학부생 'SCI 논문 발표' 주목

[사진제공=가천대학교]

아주경제 박재천 기자 =가천대학교(총장 이길여) 학부생이 SCI논문을 발표해 주목을 받고 있다.

가천대 전자공학과 4학년 유은선씨(21·여)가 주저자로 참여한 ‘Design and analysis of nanowire p-type MOSFET coaxially having silicon core and germanium peripheral channel’이 최근 SCI저널인 ‘Japanese Journal of Applied Physiscs(JJAP)’ 온라인 판에 게재됐다.

이번 연구에서는 다양한 반도체칩의 근간인 실리콘 게르마늄을 이용해 실리콘 나노와이어 표면상에서 초박막 채널을 형성하는 구조를 기반으로 반도체소자 시뮬레이션을 통해 10 nm 이하의 채널 길이 영역에서 트랜지스터의 저전력 및 고속 동작 특성을 더욱 향상시킬 수 있다는 것을 입증했다.

이 논문은 특히 20년 이상 차세대 비메모리 반도체를 위한 게르마늄 연구를 집중적으로 해온 일본의 대표적 학회인 일본응용물리학회(JSAP) 주관의 저널 심사에서 우수성을 인정받았다는 데 의미가 크다.

유씨는 “실제로 반도체 시물레이션을 하고 논문을 작성하면서 연구설계, 방법 등을 배울 수 있었다”며 “이번 경험을 토대로 반도체 소자 설계를 선도하는 연구자가 되고 싶다”고 말했다.

지도교수인 조성재 교수(전자공학과)는 "실리콘에서는 전자에 비해 상대적으로 움직임이 느린 정공의 이동도가 전자보다 현격히 높은 게르마늄을 트랜지스터에 사용하면 CMOS 회로의 집적도와 성능을 더욱 향상시킬 수 있다"며 "특히 모바일 전자기기의 저전력 구동이 중요한 화두로 떠오른 요즘, 이번 연구 결과는 고속, 저전력 동작이 가능한 차세대 집적회로의 핵심 요소들에 적용할 수 있다"고 말했다