SK하이닉스, 10나노급 5세대 DDR5 데이터센터 호환성 검증 돌입

SK하이닉스는 10나노급 5세대(1b) 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다.

이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼(하드웨어와 소프트웨어 기술이 집약된 컴퓨팅 시스템)인 제온 스케일러블 플랫폼에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 성격을 갖고 있다.

이번에 인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)로, SK하이닉스 기술진은 현재 시장에 나와 있는 DDR5 중 최고 속도를 구현했다고 설명했다. 이는 DDR5 초창기 시제품(4.8Gbps)보다 데이터 처리 속도가 33% 향상됐다.

또, 회사는 이번 1b DDR5에 'HKMG(High-K Metal Gate·유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정)' 공정을 적용해 1a DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다.

김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM개발담당)은 "올해 하반기부터 메모리 시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데 회사는 1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 가속화할 것"이라며 "내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 LPDDR5T, HBM3E로도 확대 적용할 것"이라고 밝혔다.

HBM3E는 HBM3 다음 세대인 5세대 제품으로, SK하이닉스는 올해 하반기 8Gbps 데이터 전송 성능을 갖춘 HBM3E 제품 샘플을 준비하고 내년 양산할 예정이다.

[사진=SK하이닉스]