삼성전자, DDR5 D램용 전력관리반도체 공개...속도·안정성 향상

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장문기 기자
입력 2021-05-18 11:00
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  • 각 부분에 필요한 전력 공급 관리하는 부품...D램 성능 극대화 기여

삼성전자가 기술력이 집약된 DDR5 D램용 전력관리반도체(PMIC) 신제품을 공개하며 본격적인 시스템반도체 라인업 확대에 나선다.

삼성전자는 최신 DDR5 D램 모듈의 성능 극대화, 전력 사용 최소화를 위한 전력관리반도체 3종을 18일 공개했다.

삼성전자가 공개한 전력관리반도체 3종(S2FPD01, S2FPD02, S2FPC01)은 DDR5 D램 모듈에 탑재돼 D램 성능 향상, 동작 전력 감소를 위한 핵심 반도체로 활용될 전망이다.

전력관리반도체는 전자기기 각 부분에 필요한 전력을 정확하고 효율적으로 공급하도록 관리하는 반도체로, 사람의 심장과 같은 역할을 한다.

2010년 전력관리반도체 분야에 처음 진출한 삼성전자는 스마트폰, 태블릿 등 모바일용 제품과 PC, 게임기, 무선 이어폰에 탑재되는 전력관리반도체를 보유하고 있다.

이번에 공개된 전력관리반도체는 D램과 같은 모듈에 위치해 전원을 안정적이고 빠르게 공급할 수 있는 게 특징이다. 이를 통해 메모리 성능 향상, 오작동 최소화 등의 효과를 기대할 수 있다.

이런 성능 향상은 DDR5 D램부터 전력관리반도체를 외부 기판이 아니라 D램 모듈 기판에 직접 탑재하기 때문에 가능했다.

삼성전자는 또 신제품에 자체 설계 기술인 ‘비동기식 2상 전압 강하 제어 회로’를 적용해 전압의 변화를 실시간으로 감지하고 출력 전압을 일정하게 유지하도록 했다. 이 기술을 통해 전력관리반도체는 초고속 DDR5 D램의 데이터 읽기·쓰기 속도를 안정적으로 지원할 수 있다.

아울러 일정한 전압 유지를 위해 탑재하는 적층세라믹콘덴서(MLCC)의 사용량도 줄일 수 있어 D램 모듈 설계 편의성도 높아졌다.

삼성전자는 신제품 중 엔터프라이즈용 제품(S2FPD01, S2FPD02)에 출력 전압을 효율적으로 조정하는 자체 설계 방식 ‘하이브리드 게이트 드라이버’를 적용해 업계 표준보다 1%p 높은 91%의 전력효율을 실현했다.

또 클라이언트용 DDR5 D램 모듈에 탑재되는 전력관리반도체(S2FPC01)에는 저전력 90nm(나노미터, 1nm는 10억분의 1m) 공정을 적용해 칩 면적을 줄였다.

조장호 삼성전자 시스템LSI사업부 마케팅팀 상무는 “삼성전자는 모바일, 디스플레이, SSD(Solid State Drive) 전력관리반도체에서 쌓은 설계 기술력과 노하우를 데이터센터, 엔터프라이즈 서버, PC 등에 탑재되는 DDR5 D램 메모리 모듈에도 적용했다”며 “D램용 전력관리반도체 라인업을 지속 강화하며 기술 리더십을 확대하겠다”고 말했다.
 

삼성전자가 공개한 DDR5 D램 모듈용 전력관리반도체.[사진=삼성전자 제공]


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