DB하이텍, 세계 첫 8인치 SiC 파운드리 공정 검증…2027년 양산

1200V SiC MOSFET 신뢰성 확보…설계부터 제조·평가까지 일괄 지원

1·2세대 설계키트 고객 제공…11월 3세대 내놓고 개발기간 1년 단축

DB하이텍 본사 로고 [사진=DB하이텍]

DB하이텍이 세계 최초로 8인치 웨이퍼 기반 1200V 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 파운드리 일괄공정의 신뢰성 검증을 마쳤다. 현재 6인치가 주류인 SiC 시장이 원가 경쟁력을 높이기 위해 8인치로 이동하는 가운데 2027년 양산을 앞두고 고객 확보를 본격화한다.

DB하이텍은 9일 8인치 1200V SiC 모스펫(MOSFET) 공정의 신뢰성 검증을 완료했다고 밝혔다. 설계부터 웨이퍼 제조와 전기적 특성 평가 및 신뢰성 검증까지 한꺼번에 지원할 수 있는 파운드리 체계를 갖췄다는 설명이다.

SiC는 기존 실리콘보다 고온과 고전압에 강해 전기차와 신재생에너지 및 산업용 전력기기에 쓰이는 차세대 전력반도체 소재다. 웨이퍼가 6인치에서 8인치로 커지면 한 장에서 생산할 수 있는 칩 수를 늘릴 수 있어 SiC 가격을 낮추는 핵심 전환으로 꼽힌다.

DB하이텍은 자체 개발한 1·2세대 1200V SiC MOSFET 공정설계키트(PDK)를 고객사에 제공하고 있다. PDK는 고객이 파운드리 공정에 맞춰 칩을 설계할 수 있도록 제공하는 설계 규칙과 모델의 묶음이다. 회사는 이를 통해 고객의 시제품 제작을 앞당겨 전체 개발기간을 1년 이상 줄일 수 있다고 보고 있다.

2세대 공정은 비저항 2.5mΩ·㎠ 이하와 문턱전압 3V 이상의 특성을 확보했다. 오는 11월에는 비저항을 2.3mΩ·㎠ 이하로 낮춘 3세대 PDK를 추가로 공개할 예정이다.

SiC 사업은 DB하이텍이 기존 8인치 파운드리를 고부가 전력반도체 중심으로 바꾸는 핵심 축이다. 회사는 2030년까지 AI 데이터센터·자동차·산업용 등 고부가 제품 매출 비중을 2025년 24%에서 60%까지 끌어올리고 전체 매출도 1조8000억원 규모로 확대한다는 목표를 세웠다.

DB하이텍은 올해 3분기부터 기존 협력 고객사를 대상으로 공정을 우선 제공하고 2027년 2분기에는 모든 고객으로 서비스를 확대할 계획이다. 최근에는 유럽과 인도 전력반도체 전시회에도 잇달아 참가하며 SiC·질화갈륨(GaN) 신규 고객 발굴을 추진하고 있다.

DB하이텍 관계자는 "이번 신뢰성 검증 완료는 세계 최초로 8인치 SiC 파운드리 서비스를 위한 핵심 공정 기술과 양산 기반을 확보했다는 데 의미가 있다"며 "2027년 8인치 SiC 양산을 차질 없이 준비해 차세대 전력반도체 파운드리 시장에서 경쟁력을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.