삼성·SK하이닉스 "재고 수준 정상화"···미세공정으로 '탄력' 대응

D램·낸드플래시 재고 연초 대비 절반 수준

EUV 공정 도입···성능 강화하며 원가 절감

지난 8월 서울 강남 삼성전자 딜라이트 홍보관에서 관람객들이 반도체 관련 전시물을 살펴보고 있다. [연합뉴스]

삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 업체들이 보유한 D램과 낸드플래시 재고가 빠르게 소진되고 있다. 

특히 내년부터는 5세대 이동통신(5G) 시장이 본격적으로 열리고, 클라우드 업체들의 메모리 재고 축적 물량도 많아질 것으로 예상돼 업황이 본격적으로 반등할 것이란 기대감이 고개를 들고 있다. 양사는 미세공정 기반 고부가 제품 생산에 집중해 반도체 시장 변화에 탄력적으로 대응한다는 방침이다. 

◆ D램·낸드 보유 재고 '정상 수준' 

27일 관련업계에 따르면 SK하이닉스는 지난 24일 실적 발표 이후 열린 콘퍼런스콜에서 "보유한 D램과 낸드플래시 재고(3분기 말 기준)가 각각 5주, 6주치로 정상 수준으로 줄었다"고 밝혔다.

반도체 재고는 통상 '주' 단위로 언급하는데, 재고가 5주라는 것은 약 5주 동안 생산해놓은 제품으로 시장 수요에 대응할 수 있다는 뜻이다.

D램 수요가 초호황이던 지난해 재고 수준은 2주 안팎이었다. 하지만 올해 초 SK하이닉스의 D램 재고는 최대 9주치에 달할 정도로 늘어났다. 그러나 3분기를 지나며 재고 수준이 정상 수준에 진입하고 있고, 4분기도 이와 비슷할 것이라는 게 회사 측 전망이다.

오는 31일 확정 실적 발표를 앞둔 삼성전자 역시 재고 수준이 연초 대비 절반 수준인 것으로 알려졌다. 삼성전자의 D램 재고는 10주분에서 5주분으로 줄었고, 낸드 재고는 9주분에서 4주분으로 낮아진 것으로 추산된다. 

이에 따라 삼성전자의 반도체 부문 성적표에도 업계의 이목이 쏠리고 있다. 삼성전자는 지난 8일 당초 예상을 웃도는 7조7000억원의 영업이익을 거뒀다고 잠정 실적을 공시했다. 작년 동기(17조5749억원)보다 56.2% 감소했으나 시장 기대치(7조1085억원)보다는 8.8% 높은 수준을 기록했다.

증권가에서는 삼성전자가 반도체 사업에서 3조원대 초반의 영업이익을 기록한 것으로 예상하고 있지만 그보다 소폭 상승할 가능성도 조심스럽게 점치고 있다.

◆ '미세 공정' 한계 돌파··· D램 공정에 EUV 도입

삼성전자와 SK하이닉스는 업황 반등을 전망하면서도 미세 공정에 속도를 내고 있다. 성능을 강화하는 동시에 생산 원가를 낮춰 반도체 시장 '다운턴'에 탄력적으로 대응할 수 있도록 체질을 바꾸기 위해서다.

특히 양사는 앞으로 주력 제품인 D램의 주도권 다툼이 극자외선(EUV) 공정을 기반으로 이뤄질 것으로 보고, EUV 도입에 속도를 내고 있다. EUV는 미세한 회로를 더 쉽게 그릴 수 있어 D램 생산성이 크게 향상된다. 

삼성전자는 지난 3월 세계 최초로 3세대 10나노급(1z) 8기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발한 데 이어 EUV 공정을 적용한 이 D램도 함께 개발하고 있다.

SK하이닉스 역시 지난 21일 내년부터 3세대 10나노급 16Gb DDR4 D램을 양산을 본격화하겠다고 밝혔다. 또 4세대(1a) 제품부터는 D램에도 EUV 공정을 본격 도입한다. SK하이닉스 관계자는 "D램 EUV 공정은 1a 제품부터 양산 적용될 예정"이라며 "2021년 초를 목표로 개발을 진행 중"이라고 밝혔다.

EUV 장비는 2000억원 안팎의 고가로 네덜란드 ASML이 독점 판매하고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스는 최근 ASML에 D램 양산용 EUV 장비를 추가 발주한 것으로 알려졌다. 

낸드플래시 부분에서도 초고적층 제품 양산에 힘쓴다. 삼성전자는 지난 7월 6세대(128단) V낸드와 SSD를 업계 최초로 양산한 데 이어, 용량과 성능을 두배 이상 향상시킨 7세대 V낸드 기술의 사업화 전략을 최근 발표했다.

SK하이닉스는 96단 4D 낸드 제품의 생산 비중을 연말 10% 중반 이상으로 확대하고, 128단 4D 낸드 양산과 판매 준비도 차질 없이 추진한다. 또 차세대 176단 4D 낸드 제품도 개발 중이다.