삼성전자, HBM5 목업 첫 공개…차세대 AI 메모리 기술 방향 제시

HBM5 핵심 구조·열관리 기술 공개

HBM4E에 HPB 기술 검증 완료

송재혁 삼성전자 반도체(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장이 2일(현지시간) 대만 타이베이에서 개막한 '컴퓨텍스 2026'에서 세계 최초로 공개한 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 목업(실물모형)을 설명하고 있다. [사진=삼성전자]

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5 기술 방향성을 공개하며 AI 메모리 시장 선점 의지를 드러냈다.

2일 삼성전자는 대만 컴퓨텍스 2026 전시장에서 HBM5 목업과 차세대 열관리 기술을 처음 공개했다. 송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 현장에서 메모리와 파운드리, 로직, 패키징을 아우르는 토탈 솔루션 경쟁력이 AI 시대 핵심 경쟁 요소로 부상하고 있다고 강조했다.

삼성전자가 제시한 HBM5 기술 방향의 핵심은 열관리다. 삼성전자는 HPB(Heat Path Block) 기술이 적용된 제품 구조를 통해 고성능 AI 메모리에서 발생하는 발열 문제를 줄이는 방안을 소개했다. HPB는 PHY(Physical Layer) 영역에서 발생하는 열을 효율적으로 분산·방출하도록 설계된 기술이다.

송 사장은 삼성전자의 HBM5가 별도의 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높인 것이 강점이라고 설명했다. 삼성전자는 이미 HBM4E 제품에 HPB 기술 구현과 검증을 마쳤다고 밝혔다. 구조 설계뿐 아니라 신뢰성과 패키지 안정성까지 확인했다는 설명이다.

삼성전자는 HBM5에 2나노 베이스 다이를 선제적으로 적용하겠다는 계획도 제시한 바 있다. 메모리와 파운드리, 패키징 역량을 결합해 차세대 HBM 시장에서 기술 경쟁력을 높이겠다는 전략이다.

이번 전시에서는 HBM4E 웨이퍼와 칩셋도 공개됐다. 삼성전자 HBM4E는 최선단 1c D램 코어 다이와 자체 파운드리 4나노 공정 베이스 다이를 결합한 제품이다. 지난달 29일 업계 최초로 샘플 출하를 마쳤으며 핀당 14Gbps로 안정적으로 동작하고 최대 16Gbps까지 구현할 수 있다. 최대 대역폭은 4TB/s 수준이다.

삼성전자는 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 '베라 루빈'을 지원하는 메모리·스토리지 포트폴리오도 강조했다. 전시 공간에는 삼성전자 제품이 탑재된 베라 루빈 시스템이 소개됐다. 삼성전자는 HBM4와 SOCAMM2, PM1763 등 관련 제품군을 갖추고 있다는 점을 내세웠다.

시장조사기관 옴디아는 HBM 시장 규모가 2026년 약 589억 달러에서 2029년 약 1983억 달러로 3배 이상 확대될 것으로 전망했다.

송 사장은 "엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 기반으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획"이라고 말했다.