[긴급진단] 증시 덮친 中 반도체 공포…전병서 소장 "시장 반응 과도, 삼전·하이닉스와 주력시장 달라"

中 DUV 노광장비 아직 시제품 단계…안정적 양산까지 1년가량 필요

中 반도체 자립 대응, 기업 기술력에 달려…격차 더 벌려야

[사진=게티이미지뱅크]

중국 CXMT 상장과 DUV 노광장비 개발 소식이 국내 반도체주 급락 요인으로 작용했지만 삼성전자와 SK하이닉스를 당장 위협할 수준은 아니라는 진단이 나왔다. 다만 중국의 범용 메모리 저가 공세는 중장기적인 부담으로 작용할 전망이다.

국내 주요 중국 경제 전문가로 꼽히는 전병서 중국경제금융연구소 소장은 이날 아주경제와의 통화에서 국내 증시가 중국발 소식에 과도하게 반응한 측면이 있다고 진단했다.

전 소장은 "주가가 급락하면서 CXMT와 중국 반도체 기술에 대한 해석이 과도하게 확대됐다"고 말했다. 그는 CXMT는 범용 D램을 중심으로 사업을 확대하고 있지만 삼성전자와 SK하이닉스는 인공지능(AI) 서버용 고대역폭메모리(HBM) 공급 비중을 빠르게 늘리고 있어 주력 고객층이 직접 겹치지 않는다고 밝혔다.

또한 중국산 DUV 노광장비가 국내 반도체 산업에 미칠 단기적인 영향도 제한적으로 평가했다. 시제품 개발과 안정적인 양산 체계 구축 사이에는 상당한 격차가 있다는 이유에서다.

대우증권(현 미래에셋증권) 리서치센터에서 IT 담당 애널리스트를 역임하기도 한 전 소장은 "중국의 DUV 노광장비는 아직 시제품을 만들어 생산라인에 투입하는 단계로, 실제 생산 과정에서 안정성과 수율을 확보하고 본격적인 양산에 들어가려면 앞으로 1년 정도는 더 필요할 수 있다"고 내다봤다.

CXMT와 낸드플래시 업체 YMTC 등 중국 메모리 기업들이 삼성전자·SK하이닉스와의 기술 격차를 3~4년 수준까지 좁혔다는 평가에 대해서도 단순 비교는 어렵다고 지적했다.

그는 "중국과 한국 반도체 기업 전체를 놓고 기술 격차가 몇 년이라고 말하는 것은 미국인과 한국인 가운데 누가 더 크냐고 묻는 것과 비슷하다"며 D램과 낸드, HBM 등 제품별로 기술 수준과 수율, 생산능력이 모두 다른 만큼 세부 영역을 나눠서 평가해야 한다고 말했다.

그러면서 중국 반도체 산업의 가장 큰 위협으로 범용 제품의 저가 물량 공세를 꼽았다. 중국 정부의 지원을 등에 업은 CXMT가 생산능력을 빠르게 확대하면 범용 D램 가격과 글로벌 메모리 기업의 수익성에 압박을 가할 수 있다는 분석이다.

한국의 대응과 관련해서는 정부 정책보다 기업의 기술 경쟁력 확보가 중요하다고 평가했다. 전 소장은 "중국의 반도체 자립 정책에 대한 대응은 우리 정부의 전략보다 개별 기업의 경쟁력에 달려 있다"며 "삼성전자와 SK하이닉스가 더 고도화된 기술을 개발하고 중국 업체들이 따라오기 어려운 격차를 지속해서 만들어 나가는 것이 중요하다"고 말했다.

급격한 변동성에 노출된 개인투자자들에게는 한꺼번에 방향을 정하기보다 분할 매매로 대응할 것을 조언했다. 그는 "반도체주 조정을 매수 기회로 볼지, 추가 하락에 대비할지는 투자자의 판단에 달려 있다"면서도 현재처럼 불확실성이 큰 상황에서는 한 번에 매수하거나 매도하기보다 분할 매수와 분할 매도 원칙을 지키면서 시장을 관망하는 편이 바람직하다고 말했다.

28일 국내 증시는 반도체주를 중심으로 매도세가 쏟아지며 큰 폭으로 밀렸다. 코스피는 전 거래일보다 732.09포인트(10.84%) 내린 6023.66에 마감했고, 코스닥지수는 59.01포인트(7.72%) 하락한 705.85로 거래를 마쳤다.

삼성전자와 SK하이닉스가 각각 13.39%, 14.65% 떨어지며 지수 하락을 주도했다. 낙폭이 빠르게 확대되면서 유가증권시장과 코스닥시장에서는 모두 서킷브레이커가 발동됐고 코스피는 장중 6000선을 밑돌기도 했다.