로이터 "삼성전자, HBM3E 엔비디아 품질 테스트 통과 불발"

"발열과 전력 소비 문제 지적"

삼성전자·엔비디아 관련해서 공식 입장 밝히지 않아

삼성전자 12단 적층 HBM3E D램 [사진=삼성전자]

로이터통신이 24일 삼성전자 HBM(고대역폭 메모리) D램이 발열과 전력 소비 문제로 엔비디아 품질 테스트를 통과하는 데 실패했다고 소식통을 인용해 보도했다.

복수의 소식통(관계자)에 따르면 삼성전자 HBM D램은 이러한 문제로 아직 엔비디아에 제품을 납품하지 못하고 있다. 로이터는 세 명의 내부 소식통을 취재한 결과 삼성전자 HBM D램이 발열과 전력 소비 문제로 특정 미국 회사(엔비디아)의 인공지능(AI) 반도체에 사용할 수 있을지 관련 테스트가 여전히 진행 중이라고 보도했다.

이 문제는 5세대 고대역폭 메모리(HBM3E)뿐 아니라 기존 4세대 고대역폭 메모리(HBM3)에도 영향을 미치고 있다고 로이터 측은 덧붙였다.

삼성전자는 로이터에 보낸 입장문을 통해 "HBM D램은 고객 요구에 따른 최적화 과정이 필요한 맞춤형 메모리 제품"이라며 "고객과 긴밀한 협력을 통해 제품 최적화를 진행 중"이라고 밝혔다. 엔비디아 공급 여부에 관한 논평은 거부했다.

엔비디아도 이에 관한 로이터 측 질문에 회신을 하지 않았다.

소식통에 따르면 삼성전자는 자사 HBM3와 HBM3E D램을 엔비디아에 공급하기 위해 테스트 통과를 추진 중이었으나, 지난 4월 8단 적층 HBM3E와 12단 적층 HBM3E 모두 테스트 실패 결과를 통보받았다.

다른 소식통은 관련 문제를 빠르게 해결할 수 있을지 불명확하며 반도체 업계와 투자자들 사이에서 삼성전자가 경쟁사 SK하이닉스에 메모리 경쟁력이 뒤처질 수 있다는 우려가 나오고 있다고 말했다.

두 명의 소식통은 삼성전자의 엔비디아 품질 테스트 통과 불발이 기밀이기 때문에 익명을 전제로 발언을 했다고 로이터 측은 설명했다.

반면 SK하이닉스는 엔비디아에 HBM D램을 공급하는 주요 업체로 지난 3월 말부터 모 반도체 업체에 자사 HBM3E D램을 공급하기 시작했다. 소식통에 따르면 이 업체는 엔비디아로 알려졌다.

소식통에 따르면 엔비디아·AMD 등 AI 반도체 업체들은 공급망 안정성을 높이고 SK하이닉스의 가격 협상력을 약화하기 위해 삼성전자가 HBM D램을 안정적으로 공급할 수 있게 되길 기대하고 있다.

지난 3월 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 GTC 2024 행사에서 삼성전자 부스에 방문해 삼성전자 12단 적층 HBM3E D램에 "젠슨황이 승인하다"고 사인한 것은 이런 열망을 반영한 행보로 풀이된다.