[컨콜] 삼성전자 "10나노급 D램 비중 연말 80% 이를 것"

삼성전자는 31일 3분기 실적발표 후 진행한 컨퍼런스콜에서 "10나노급 D램 비중이 연말 70%후반에서 80%에 이를 것"이라며 "내년 상반기부터 1y나노가 메인 공정이되고, 1z나노는 계획대로 양산중"이라고 밝혔다.

또 "극자외선(EUV) 공정은 1z나노급 위주로 실험하고 있으며, 경제성이 확보되는 시점에 본격 도입할 것"이라고 밝혔다.