SK하이닉스, 2028년 D램 공정에 ASML 차세대 노광장비 도입

sk하이닉스 건물 앞 로고 [사진=SK하이닉스]

SK하이닉스가 오는 2028년 D램 양산 공정에 ASML의 차세대 노광장비인 '하이(High) NA 극자외선(EUV)' 장비를 도입한다. 미세공정 한계를 넘어 차세대 D램의 성능과 원가 경쟁력을 높이기 위한 전략이다.

9일 로이터 등에 따르면 SK하이닉스는 2028년 하이 NA EUV 공정을 D램 양산에 적용하는 것을 목표로 하고 있다고 밝혔다. 아울러 TSMC가 주도하는 '대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)' 참여도 검토하고 있다.

하이 NA EUV는 기존 EUV 장비보다 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 노광 기술이다. 빛을 모으는 능력을 나타내는 개구수(NA)가 기존 EUV의 0.33에서 0.55로 높아진다. 더 미세한 패턴을 한 번에 형성할 수 있어 공정 단계를 줄이는 동시에 반도체 성능과 생산성을 높일 수 있다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1a) D램 양산에 EUV를 처음 적용한 뒤 첨단 D램으로 적용 범위를 확대해왔다. 하이 NA EUV를 도입해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높인다는 계획이다.

반도체 노광 공정의 표준을 바꾸기 위한 움직임에도 동참한다. SK하이닉스는 기존 6인치 포토마스크를 12인치로 대형화하기 위한 컨소시엄 참여를 검토하고 있다. 포토마스크는 반도체 회로 패턴을 웨이퍼에 전사하기 위한 원판으로, 대형화하면 차세대 노광 공정의 생산성과 효율성을 높일 수 있다.

해당 컨소시엄에는 ASML 등 글로벌 반도체 기업들이 참여하고 있으며 삼성전자도 합류한 상태다. SK하이닉스까지 참여할 경우 차세대 EUV 장비와 대형 포토마스크를 둘러싼 글로벌 반도체 업계의 기술 표준 경쟁도 한층 본격화할 전망이다.