숭실대 연구팀이 수행한 연구가 국제 저명학술지에 실리는 성과를 얻었다.
24일 숭실대에 따르면 유건욱 전자정보공학부 교수 연구팀과 이규상 미국 버지니아대 교수팀 공동 연구 성과가 나노소재 분야 국제 저명 학술지인 'ACS 나노(ACS NANO)'에 게재됐다.
게재 논문 제목은 '질화갈륨(GaN)/α-In2Se3 고전자이동트랜지스터(HEMT)를 이용한 재구성 가능한 뉴로모픽 컴퓨팅 소자 개발'이다.
공동 연구팀은 GaN HEMT에 강유전성 반도체를 도입하고 새로운 구조를 적용해 기존 연구들보다 뛰어난 성능을 확인했다. 이는 인간 시냅스 행동을 모방한 뉴로모픽 컴퓨팅에 처음으로 GaN HEMT를 사용한 것이라고 연구팀은 설명했다.
유 교수는 "현재 집적화 가능한 소자 구조를 연구 중이며 향후 지능적 고주파 회로·전력반도체 응용이 가능할 것"이라고 말했다. 제1저자인 앙정용 숭실대 연구원은 "박사 과정에 진학해 고주파 신호를 처리할 수 있는 HEMT 연구를 이어가겠다"고 포부를 밝혔다.
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