SK하이닉스, 차세대 메모리 'HBM4E' 샘플 공급···삼성과 주도권 '2차전' 격돌

삼전닉스, 한 달 간격으로 7세대 샘플 잇달아 출하

업계 "고객사 최종 퀄 테스트가 분수령"

[사진=연합뉴스]

SK하이닉스가 차세대 AI용 초고성능 D램 'HBM4E' 샘플 공급을 전격 개시했다. 지난달 삼성전자가 세계 최초로 샘플을 출하한 지 불과 채 한 달 만이다. 이로써 양사는 HBM4에 이어 HBM4E 시장에서도 격돌하며 AI 메모리 패권을 둘러싼 본격적인 '2차전' 국면에 접어든 모습이다. 
 
SK하이닉스가 18일 7세대 고대역폭메모리(HBM4) 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다. 이번 제품은 현재 양산 중인 6세대 HBM(HBM4)의 후속 모델로 AI 학습 및 추론에 필수적인 데이터 처리 성능을 극대화한 초고성능 제품이다. 당초 올해 하반기 공급을 예상했으나 자체 개발 일정이 순조롭게 진행되면서 공급 시점을 대폭 앞당긴 것으로 알려졌다.
 
이번 신작은 이전 세대 대비 성능과 전력 효율을 한 단계 진화시켰다. 핀당 최대 16Gbps(초당 기가비트)의 데이터 처리 속도를 구현하며 전력 설계 최적화를 통해 에너지 효율을 20% 이상 개선했다.
 

특히 독자적인 '어드밴스드 MR-MUF' 공정을 적용해 구조적 안정성을 완성했다. 12단 적층 기준 48GB의 고용량을 구현하면서도 열 저항을 이전 세대 대비 약 17% 낮췄다. 이 덕분에 AI 컴퓨팅 환경에서 발생하는 발열 현상을 보다 효과적으로 제어할 수 있게 됐다.
 
SK하이닉스는 "그동안 축적해 온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 핵심 고객사들과 긴밀히 협업하고 있다"며 "적기 양산에 만전을 기해 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현하겠다"고 강조했다.
 
이에 맞서는 삼성전자의 기세도 매섭다. 지난 5월 말 삼성전자는 세계 최초로 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 초격차 기술을 앞세웠따. 올해 2월 HBM4 제품의 세계 최초 양산 출하를 발표한 지 불과 3개월 만에 차세대 라인업까지 선제 공급하는 파격적인 행보다.
 
삼성전자의 HBM4E는 자체 검증된 10나노급 6세대(1c) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용해 생산성과 공정 안정성을 동시에 확보했다. 저전력 설계로 에너지 효율을 16% 개선하고 열 저항 특성도 14% 이상 끌어올렸다. 특히 '원스톱 턴키' 전략이 강력한 시너지를 발휘해 빅테크 공급망 확보에서 유리한 고지를 선점하겠다는 전략이다.
 
한 달 새 이어진 양사의 샘플 공급을 완료하자, 업계에서는 차세대 AI 공급망을 선점하기 위한 치열한 2차전에 돌입했다고 평가한다. HBM4에 이어 HBM4E에서도 수주 경쟁이 재점화된 가운데 제품 특성상 고객사의 까다로운 검증과 최종 승인을 통과하는 쪽이 시장의 승기를 잡을 것으로 보인다.
 
안기현 한국반도체산업협회 전무는 "양사 모두 예상보다 빠른 속도로 차세대 제품 개발 및 검증을 진행하고 있다"며 "글로벌 빅테크 고객사의 최종 퀄(품질) 테스트 통과 시점과 실제 양산 전환 속도가 향후 AI 메모리 시장의 주도권 향방을 결정지을 분수령이 될 것"이라고 했다.