SK하이닉스, ‘EUV 활용’ D램 첫 양산…“반도체 공급난 해소 기대”

10나노급 4세대 D램 신제품…하반기 스마트폰 제조사에 공급

SK하이닉스가 처음으로 극자외선(EUV) 공정을 활용한 D램 양산에 시동을 걸었다.

12일 SK하이닉스에 따르면, 회사는 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gb(기가바이트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다.

LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다. DDR은 JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭으로, DDR1-2-3-4로 세대가 바뀌었다. 

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있는데, 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술이다. 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에 공급될 예정이다.
 

SK하이닉스가 EUV를 활용해 양산하는 10나노급 4세대 D램. [사진=SK하이닉스 제공]

특히 이번 신제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 극자외선(EUV) 공정 기술을 통해 양산된다는 점에서 의미가 크다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인했다.

최근 반도체 기업들은 공정이 극도로 미세화됨에 따라 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇달아 도입하고 있다. 업계는 앞으로 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는 중요한 요소가 될 것으로 전망한다.

SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산할 계획이다. 

무엇보다 신제품의 ‘생산성 향상’으로 원가 경쟁력을 높일 것이란 기대다. 1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 1장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 증가한다. 이에 올해 전 세계적으로 D램 수요가 늘면서 가중되고 있는 글로벌 메모리 반도체 공급난에 1a D램이 큰 역할을 할 것으로 기대된다. 

SK하이닉스 관계자는 “당초 올 하반기 예고했던 EUV 활용 D램 제품 양산이 7월부터 본격화한 것으로, 향후 반도체 공급난 해소와 미세공정 경쟁력에서 우위를 점할 수 있을 것”이라며 “지난 2월 향후 5년간 4조7549억원을 투자해 EUV 노광장비를 매입하는 계약을 네덜란드 ASML과 체결한 점도 고무적”이라고 설명했다. 

이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. 저전력 강점을 보강해 탄소 배출을 줄일 수 있어 환경·사회·지배구조(ESG) 경영에도 유의미하다.

SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 예정이다.

조영만 SK하이닉스 1a D램 태스크포스(TF)장 부사장은 “이번 1a D램은 생산성과 원가 경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 양산에 본격 적용해 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 강조했다.