삼성전자, 평택 낸드라인 증설...메모리 '초격차' 이어간다

윤정훈 기자입력 : 2020-06-01 17:24
평택 시스템반도체 10조원 투자 결정 열흘 만에 메모리반도체 추가 투자 160단 이상 초고적층 7세대 V낸드 개발 속도

[사진=삼성전자 제공]


삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 8조원대 규모의 증설 투자를 결정했다. 지난달 21일 같은 공장에 극자외선(EUV) 파운드리(반도체 위탁생산) 부문에 10조원 규모 투자를 결정한 지 열흘 만이다. 메모리 반도체 분야 추가 투자로 중국 업체의 추격을 따돌리겠다는 방침이다.

삼성전자는 평택캠퍼스 2라인(P2)에서 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사를 지난달 착수했다고 1일 밝혔다. 구체적인 투자 금액을 밝히지 않았으나 업계에서는 이번 낸드플래시 증설 투자에 약 8조원대 자금이 투입될 것으로 예상하고 있다.

이번 투자는 "어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다"는 이재용 삼성전자 부회장의 경영철학에도 부합한다. 이 부회장은 메모리 반도체는 물론이고 시스템 반도체까지 1위를 하겠다는 '반도체 비전 2030'을 발표하고 적극적인 투자 계획을 밝히고 있다.

평택캠퍼스는 2015년 삼성전자가 약 30조원을 투자해 구축한 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산기지다. 2017년 완공된 1라인(P1)에서는 세계 최초 4세대(64단) V낸드플래시를 양산하고 있다.

삼성전자는 평택 2라인에서 차세대 6세대 V낸드 중심의 생산량 확대에 나설 계획이다. 더불어 경쟁업체와의 격차를 벌리기 위해서 160단 이상의 7세대 V낸드 기술 개발을 연내 완료한다는 전략이다.

V낸드는 적층 단수가 높을수록 2D 낸드 대비 동일 면적에 많은 데이터를 저장할 수 있다. 현재 128단 이상의 V낸드를 대량 생산할 수 있는 업체는 삼성전자가 유일하다.

김기남 삼성전자 부회장도 지난 3월 열린 주주총회에서 "삼성전자는 (올해) 7세대 V낸드 개발로 기술 격차 확대에 주력할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

이번 투자는 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드 수요 확대에 대응하기 위해서 진행됐다. 최근 코로나19 영향으로 '언택트' 트렌드가 전 분야로 확대되면서 삼성전자가 적극적인 설비투자에 나선 것이다.

IHS마킷에 따르면 지난해 기준 삼성전자의 낸드플래시 세계시장 점유율은 35.9%로 압도적인 1위다. 2위는 일본 키옥시아(19%), 3위는 미국 웨스턴디지털(13.8%), 4위는 미국 마이크론(11.1%), 5위는 SK하이닉스(9.9%), 6위는 인텔(9.5%)이다.

지난 4월에는 중국 메모리 반도체 업체 양쯔강메모리(YMTC)가 연내 128단 V낸드를 공개하며 올해 내 양산하겠다고 밝히기도 했다. 이에 메모리 반도체 시장에서 경쟁은 한창 가속화할 전망이다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT 산업 성장에 기여할 것"이라고 말했다.

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