삼성전자, 메모리·파운드리 쌍끌이 로드맵 발표···경쟁자와 초격차 유지 승부수

삼성전자가 세계 최초로 5세대 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m)급 D램을 내년 양산한다. 2030년까지는 1000단 9세대 V낸드와 인간의 오감을 감지하는 센서 개발 등 새로운 기술 로드맵과 비전을 공개하며 기술 '초격차'를 유지하겠다고 밝혔다.

앞서 2027년 1.4나노미터 초미세공정 개발 완료를 선언한 삼성전자는 파운드리(반도체 위탁생산)뿐 아니라 30년간 1위를 유지하고 있는 메모리반도체 분야에서도 독보적인 초격차를 달성하겠다는 방침이다.

삼성전자가 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 테크 데이 2022'를 개최하고 올해 하반기에 8세대 V낸드를 생산한 데 이어 내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고 2년 뒤 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 구체적인 로드맵을 제시했다.

현재 D램은 4세대 10나노급을 생산 중이고, 데이터를 저장하는 셀(cell·저장공간)을 수직으로 쌓는 형태의 V낸드는 7세대를 양산 중이다.

향후 양산될 8세대 V낸드는 7세대보다 단위면적당 저장되는 비트 수가 42% 향상됐다. 5세대 10나노급 D램은 기존 같은 사양의 4세대보다 크기는 작고 성능은 뛰어나다. 삼성전자는 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다고 목표도 밝혔다. 이는 현재 176단인 7세대 V낸드보다 5배 이상 저장할 수 있다.

같은 날 삼성전자는 초지능화, 초연결성, 초데이터가 요구되는 4차 산업혁명 시대에 필요한 인간 수준에 가까운 기능을 구현하는 최첨단 시스템 반도체 개발 계획을 밝혔다.

SoC에서는 NPU, 모뎀 등과 같은 주요 IP 성능을 향상시키는 동시에 글로벌 파트너사들과 협업해 업계 최고 수준의 중앙처리장치(CPU)와 GPU를 개발하는 등 SoC의 핵심 경쟁력을 강화한다는 방침이다.

이를 통해 사람의 눈에 가까운 초고화소 이미지센서를 개발하고, 사람의 오감(미각·후각·청각·시각·촉각)을 감지하고 구현할 수 있는 센서도 개발할 예정이다.
 

[사진=가트너]

이는 최근 삼성의 기술 초격차 유지 행보의 일환으로 분석된다. 삼성전자는 역시 미국 실리콘밸리에서  지난 3일(현지시간) '삼성 파운드리 포럼 2022'를 열고 파운드리 신기술과 사업 전략을 공개했다.

삼성전자는 GAA 기반 공정 기술 혁신을 통해 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 공정을 도입한다. GAA는 3D 구조 핀펫(FinFET)을 넘는 차세대 트랜지스터 구조 기술이다. 앞서 지난 6월에는 세계 최초 GAA 기반 3나노 1세대 공정 양산을 시작한 바 있다.
 
삼성전자가 1.4나노 양산 계획을 밝힌 것은 이번이 처음이다. 글로벌 파운드리 1위인 TSMC는 1.4나노 공정의 기술 개발을 하고 있지만 아직 양산 계획은 밝히지 않은 만큼 삼성전자가 최신 공정에서 앞서게 됐다는 평가가 나온다.

업계 관계자는 "최근 반도체 업황이 다소 흔들리고 있지만 삼성전자는 불황에도 투자를 단행해 더욱 기술 격차를 벌리려는 것 같다"며 "글로벌에서 가장 앞선 신제품 양산을 통해 정상 자리를 유지하려는 전략"이라고 말했다.
 

5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)이 발표를 하고 있다. [사진=삼성전자]