중국, EUV 핵심부품 광원시스템 공개…아직은 시제품 수준

국산화율 90%, EUV 출력 15W 이상

상용화까지 3~5년 더 필요할 것 전망

랑다오쑤이옌이 개발한 EUV 광원 시스템 [사진=랑다오쑤이옌]

중국이 첨단 반도체 생산에 필요한 극자외선(EUV) 노광장비의 핵심 부품인 광원 시스템 시제품을 공개했다.

반도체 광원 개발업체인 랑다오쑤이옌(朗道燧岩)은 지난 12일부터 상하이에서 열리고 있는 제26회 중국국제공업박람회에서 EUV 광원 시스템 시제품을 처음 공개했다고 중국 관영 해방일보가 15일 전했다. 현장 관계자는 해당 시스템의 국산화율이 90%이며, 핵심 부품 대부분을 자체 개발했다고 설명했다.

EUV 광원은 7㎚(나노미터) 이하 첨단 반도체 제조에 필요한 핵심 기술이다. 주석 방울에 고출력 레이저를 쏴 플라스마를 만들고, 이 과정에서 발생하는 파장이 13.5㎚인 극자외선을 이용한다. 광원은 EUV 노광장비의 핵심 구성 요소다. 광원 시스템 이외에도 빛을 모으는 정밀 반사 광학계와 마스크, 웨이퍼 이송·정렬 시스템 등도 EUV 노광장비의 핵심 부품이다.

랑다오쑤이옌의 광원 시스템은 레이저 생성 플라스마(LPP) 방식을 채택했다. 이는 네덜란드 ASML이 상용 EUV 노광장비에 사용하는 방식과 같다. 회사가 공개한 저출력 광원 시스템 ‘FlintNano LPP-OXXO’의 EUV 출력은 15W 이상이며, 연속 작동 시간은 100시간을 넘는다. 반면 ASML의 상용 EUV 노광장비는 일반적으로 수백 와트급 광원 출력을 요구한다. 출력과 장기 안정성, 가동률 등을 끌어올려야 산업 현장에서 활용할 수 있다.

박람회 현장 관계자는 "해당 광원 시스템이 양산 단계에 도달하기까지 3~5년이 더 필요하다"고 밝혔다. 이번 공개는 중국이 EUV 광원 기술을 이론 연구에서 시제품 검증 단계로 발전시켰다는 점에서 의미가 있다는 평가다. 

한편 2024년 설립된 랑다오쑤이옌은 왕하오(王豪) 박사 연구팀이 칭화대 기체방전 플라스마 연구 성과를 바탕으로 창업한 기업이다. 장장가오커(張江高科) 산하 투자사와 중신쥐위안(中芯聚源) 등으로부터 투자를 유치했다.