삼성전자, FMS 2026서 차세대 메모리 기술력 인정…2개 부문 수상

V10 BV-낸드로 3D 낸드 혁신상를 수상한 이진엽 플래시(Flash) 개발실 부사장 [사진=삼성전자]

삼성전자가 세계적인 메모리 기술 콘퍼런스 'FMS 2026' 어워드에서 차세대 메모리 기술력을 인정받으며 2개 부문을 수상했다. 

6일 삼성전자에 따르면 회사는 FMS 2026 기간 열린 '베스트 오브 쇼 어워즈(Best of Show Awards)'에서 'V10 BV-낸드(NAND)'로 3D 낸드 혁신상(3D & NAND Innovation Award)을, 'LPDDR5X-PIM'으로 차세대 메모리상(Next-Gen Memory Award)을 각각 수상했다.

V10 BV-낸드는 400단 이상의 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬(BV·Bonding Vertical) 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 연결하는 3-스택 구조를 적용해 저장 용량을 높이면서도 전력 소비와 발열을 줄인 것이 특징이다. AI 시대 급증하는 데이터 저장 수요에 대응할 차세대 낸드 기술로 평가받고 있다.

함께 수상한 LPDDR5X-PIM은 세계 최초로 저전력 D램인 LPDDR5X에 PIM(프로세싱 인 메모리) 기술을 적용한 제품이다. 메모리 내부에서 직접 연산을 수행해 데이터 이동을 최소화하는 구조로, 시스템 성능과 전력 효율을 동시에 높일 수 있다. 특히 AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 등 대규모 AI 연산 환경에서 병목 현상을 줄일 핵심 메모리 기술로 주목받고 있다.

삼성전자는 이번 수상을 통해 차세대 낸드와 AI 메모리 분야의 기술 리더십을 다시 한번 인정받은만큼 AI 시대를 선도할 메모리 기술 리더십을 더욱 공고히 할 계획이다. 

회사는 오는 6일(현지시간)까지 열리는 FMS 2026에서 차세대 메모리 로드맵과 AI 메모리 솔루션, 차세대 스토리지 기술 등을 공개하며 글로벌 고객사와 미래 메모리 기술 비전을 공유할 예정이다.