삼성 전직 임원·연구원, 中 반도체사에 핵심기술 유출 혐의 구속기소

[사진=연합뉴스]

삼성전자 전직 임원과 연구원들이 국가 핵심기술을 중국 반도체 회사에 유출해 현지에서 18나노 D램 개발에 관여한 혐의로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 1일 전 삼성전자 임원 양모 씨와 전직 연구원 신모 씨, 권모 씨를 산업기술보호법 위반 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속기소 했다고 밝혔다.

검찰에 따르면 이들은 삼성전자 퇴직 뒤 중국 반도체 기업 CXMT(창신메모리반도체테크놀로지) ‘2기 개발팀’에 합류해 불법 유출된 삼성전자의 18나노급 D램 공정 기술을 이용, 개발을 완수한 혐의를 받는다. CXMT는 지방정부 자금으로 설립된 중국 최초의 D램 제조업체다.

앞서 검찰은 같은 회사 ‘1기 개발팀’에 참여한 삼성전자 전직 부장 김모 씨와 연구원 출신 전모 씨를 이미 구속기소 했다. 추가 수사에서 김씨가 삼성전자 퇴직자 A씨로부터 공정 자료를 부정 취득했고, 이 자료가 2기 개발팀으로 전달된 사실이 드러났다.

양씨는 2기 개발실장으로 전체 개발을 총괄했고, 신씨는 공정 개발, 권씨는 실무를 담당했다. 이들은 삼성전자 제품을 분해해 유출 자료를 검증하고, 이를 기반으로 제조 테스트와 양산까지 진행한 것으로 조사됐다.

검찰은 피의자들이 기존 연봉의 3∼5배 수준인 15억∼30억 원을 받고 수년간 근무했다고 밝혔다. 또 이 사건으로 삼성전자에 발생한 피해액은 지난해 기준 약 5조 원, 장기적으로는 수십조 원에 이를 것으로 추산했다.

특히 삼성전자 공정 정보를 노트에 옮겨 외부로 빼돌린 퇴직자 A씨는 현재 인터폴 적색수배 중이다.

검찰 관계자는 “국가 경제를 위협하는 기술유출 범죄에 대해 끝까지 추적해 책임을 묻겠다”며 “향후에도 유사 범죄에 엄정 대응하겠다”고 말했다.