[삼전닉스 홀대론] D램은 미래 경쟁, 낸드 최대시장 점령…中 맹추격에 위기감 고조

中 YMTC 낸드 점유율 삼성 추월…CXMT 글로벌 D램 10% 확보

차세대 D램·HBM까지 추격 가속…삼성·SK 기술 우위 유지 과제*

허페이 창신메모리(CXMT) 반도체 공장 [사진=연합뉴스]

삼성전자와 SK하이닉스가 중국 반도체 기업들의 거센 도전을 받고 있다. 중국 낸드플래시 시장에서는 현지 업체가 삼성전자를 제쳤고, D램에서도 중국 기업의 글로벌 점유율이 두 자릿수에 진입했다.

2일 업계에 따르면 시장조사업체 옴디아가 집계한 올해 2분기 중국 낸드 시장에서 양쯔메모리(YMTC) 점유율은 38.5%로 지난해 연간 28%보다 10.5%포인트 높아졌다. 삼성전자는 36%에서 33.5%로 하락했다. SK하이닉스도 20%에서 17%로 떨어졌다.

YMTC는 160단과 232단 낸드를 주력으로 생산하면서 294단 제품도 일부 공급하고 있으며 300단 이상 제품 개발도 추진 중이다. 삼성전자와 SK하이닉스가 고적층 낸드에서 기술 우위를 유지하고 있지만 중국 업체가 주력 제품의 기술 격차를 좁히고 있다는 평가다.

D램 시장에서도 창신메모리(CXMT)의 성장세가 가파르다. 카운터포인트리서치에 따르면 CXMT의 올해 2분기 글로벌 D램 매출 점유율은 10%로 지난해 같은 기간 4%에서 크게 높아졌다. 지난달 30일 발표한 3분기 매출은 1187억 위안으로 전년 동기보다 613% 증가했다.

기술 개발에도 속도를 내고 있다. CXMT는 지난달 10일 기존보다 메모리 셀 면적을 줄인 4F² 구조의 서버용 DDR5 제품을 연내에 선보이겠다고 밝혔다. 이어 3분기 실적 발표에서는 차세대 D램 플랫폼 시제품에 대해 검증을 마쳤다고 설명했다.

중국은 정부 주도로 3440억 위안 규모로 3기 국가반도체투자기금을 마련하는 등 지원에 적극 나서고 있다. 이를 등에 업은 CXMT는 AI 반도체용 고대역폭메모리(HBM) 시장에도 진입해 수율 20~30% 수준으로 HBM3E의 제한적 생산을 추진하는 상황이다. 한국 정부도 내년도 반도체 예산을 3조4000억원으로 늘렸지만 중국에 대응할 실질적인 지원을 강화해야 한다는 지적이 나온다.

삼성전자와 SK하이닉스의 중국 사업도 녹록지 않다. 중국 낸드 생산기지는 현지 업체의 추격과 미국의 장비 반입 규제라는 이중 압박을 받고 있기 때문이다. 삼성 시안과 SK하이닉스 다롄 공장은 첨단 공정 전환을 추진하고 있으나 미국 정부의 장비 반입 허가가 변수다. 중국 기업과 기술 격차를 유지하기 위한 설비 고도화에 제약이 따르는 것이다.

일각에서는 지금이 중국과 기술 격차를 유지할 골든타임이라는 반응도 나온다. 중국 업체들이 범용 메모리에서 확보한 시장 기반과 자금력을 차세대 제품 개발에 투입하고 있는 만큼 국내 기업의 선제적인 기술 개발과 투자가 중요해졌기 때문이다. 정부도 연구개발과 첨단 인력 확보를 지원하고 전력 인프라 등 투자 여건을 개선하는 등 산업 경쟁력 강화를 위한 지원을 확대해야 한다는 지적이다.

이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 "중국 반도체의 공급이 시장에 영향을 미칠 수준으로 늘어나면 한국 기업이 원하는 대로 공급량을 조절하기가 어렵고, 메모리 가격을 높게 유지하기도 힘들어질 수 있다"고 말했다.