황상준 삼성전자 부사장 "초격차 DNA로 세상이 원하는 반도체 만들 것...2025년까지 HBM4 개발"

황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장[사진=삼성전자]

황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장 부사장이 오는 2025년까지 차세대 첨단 고대역폭메모리(HBM) 제품인 HBM4를 개발하겠다는 포부를 밝혔다. 

황 부사장은 10일 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문을 통해 "세상의 새로운 지평을 열고 있는 챗GPT는 파라미터(parameter, 매개 변수)가 1750억 개에 달하는 수많은 데이터를 기반으로 학습된 언어모델이기에, 원활한 서비스 제공을 위해서는 고성능 반도체가 필수적"이라며 "거대한 데이터 처리를 위해서는 메모리 반도체의 고성능, 고대역폭, 저지연 등 성능을 극대화해야하고, 삼성은 지난 40년간 업계를 선도하며 쌓아온 독보적인 기술 노하우를 보유하고 있다"며 이같이 자신했다. 

황 부사장은 "삼성전자는 2016년 세계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC) 향 HBM 사업화를 시작하며, AI 향 메모리 시장을 본격적으로 개척해왔다"면서 "현재도 고객과 밀접히 협업해 AI·HPC 생태계를 견인하고 있으며, 앞으로 9.8Gbps 속도의 HBM3E 제품을 개발해 고객사에 샘플 공급을 시작하겠다"고 말했다.

이어 "2025년을 목표로 한 HBM4 제품에 적용하기 위한 고온 열특성에 최적화된 비전도성접착필름(NCF) 조립 기술과 하이브리드 본딩(HCB) 기술도 준비 중"이라고 강조했다. 하이브리드 본딩은 칩과 칩 사이 공간을 완전히 없앤 뒤 바로 접합하는 기술로 현재 HBM 제조사들로부터 주목받는 신공정이다.

삼성전자는 올해 초 첨단 패키지 기술 강화 및 사업부 간 시너지를 극대화하기 위해 AVP(Advanced Package) 사업팀을 출범시켰다. 황 부사장은 "HBM과 함께 2.5차원, 3차원 첨단 패키지 솔루션을 포함한 첨단 맞춤형 턴키 패키징 서비스도 제공해 AI·HPC 시대에 최고의 솔루션을 선보일 계획"이라고 말했다.

지난달 발표한 32기가비트(GB) DDR5 D램에 대해서는 "40년전 개발한 64킬로비트(Kb) D램 대비 용량이 50만 배 크고, 동일 패키지 사이즈에서 16GB D램 대비 2배 용량을 구현했고, 소비전력도 10% 개선할 수 있게 됐다"며 "이번 제품으로 최대 1테라바이트(TB) 모듈 구현이 가능해져 고용량을 필요로 하는 데이터센터뿐 아니라 향후 MRDIMM, CXL 등 차세대 메모리 솔루션에서도 사용될 수 있는 기반이 될 것"이라고 자신했다. 

메모리에 시스템반도체 연산 기능을 더한 PIM(프로세싱인메모리) 제품에 대한 기대감도 드러냈다. 황 부사장은 "HBM-PIM은 D램 내부에 데이터 연산 기능을 탑재해 메모리 대역폭의 병목 현상을 개선했고 음성 인식 등 특정 작업량에서 최대 12배의 성능 향상과 4배의 전력 효율을 달성했다"며 "최근에는 CXL 인터페이스를 사용하는 CXL D램에서 PIM 아키텍처를 구성하는 연구도 함께 진행하고 있다"고 설명했다.

황 부사장은 "삼성전자는 지난 40여 년간 끊임없는 변화와 혁신을 통해 기술 초격차를 달성해 왔다"며 "앞으로도 초격차 DNA를 바탕으로 기술적 한계를 극복해 세상에 없는 다양한 메모리 솔루션 제품을 개발하겠다"고 말했다. 또 "D램 시장의 큰 변곡점이 될 10나노 이하 공정을 기반으로 AI 시대에 세상이 원하는 초고성능, 초고용량, 초저전력 메모리 제품을 제공하겠다"고 거듭 강조했다.