베일 벗은 '삼성전자 평택캠퍼스'...美 바이든 방명록은 '3나노 웨이퍼'

조 바이든 미국 대통령이 오늘(20일) 방한을 예고한 삼성전자 평택캠퍼스의 내외부 모습이 처음으로 일반에 공개됐다.

삼성전자는 20일 세계 최대 규모의 반도체 클러스터인 평택캠퍼스의 내외부 영상을 언론에 공개, 한미 정상 방문을 앞두고 완벽한 채비를 마쳤음을 내비쳤다.

삼성전자 평택캠퍼스는 총 부지 면적이 289만㎡(87만5000평)로, 이는 여의도 면적(약 290만㎡)과 비슷하고 축구장 400개에 달하는 엄청난 규모다.

평택 제1공장(P1)과 제2공장(P2)은 단일 반도체 생산라인(팹) 기준 각각 세계 최대 기록을 세웠다. 완공을 앞두고 있는 3라인(P3)은 더 큰 규모라, 완공 후 세계 최대 규모 팹 기록을 세울 것이 유력하다.

 

세계 최대 반도체 생산 팹 삼성전자 평택캠퍼스 항공 뷰 [사진=삼성전자]

이곳 평택캠퍼스에서 생산되는 제품은 차세대 메모리로 불리는 D램과 낸드플래시메모리를 비롯해 초미세 파운드리 제품까지 다양하다. 2017년 가동을 시작한 P1에서 메모리 반도체를 생산하고 있으며, 2020년 가동에 나선 P2에서는 메모리와 파운드리(위탁생산 제품) 생산이 가능한 복합 팹이다.

바이든 대통령은 윤석열 대통령과 함께 이재용 삼성전자 부회장의 안내를 받으며 P1과 P2 공장을 방문한 뒤 P3 공사 현장을 둘러본다. 삼성전자는 한미 양국 정상의 경호를 위해 이날 하루 P3 공사를 중단했다.

바이든 대통령 일행 중에는 삼성전자의 협력사인 미국 반도체 기업 퀄컴의 크리스티아노 아몬 최고경영자(CEO)도 동행할 것으로 알려졌다. 삼성전자에서는 이 부회장을 비롯해 한종희 DX부문장 부회장, 경계현 DS부문장 사장 등 주요 경영진도 양국 정상의 방문에 동행할 예정이다.

 

삼성전자 평택캠퍼스 생산 공정 내부 모습 [사진=삼성전자]

삼성전자는 바이든 대통령에게 조만간 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 반도체 시제품을 소개할 것으로 알려졌다.

두 정상은 이 3나노 반도체 웨이퍼에 서명할 계획이다. 웨이퍼는 반도체의 재료가 되는 얇은 실리콘 판이다. 통상 공장 등 현장을 방문하면 방명록에 이름을 적는 경우가 많은데 종이 대신 반도체산업의 상징인 웨이퍼를 택한 것이다.

바이든 대통령은 작년 4월 백악관에서 삼성전자 등 주요 반도체 기업을 소집한 회의에서 웨이퍼를 손에 들고 흔들며 대미 투자를 독려하기도 했다.
 

반도체 웨이퍼를 들어보이고 있는 조 바이든 미국 대통령 [사진=연합뉴스]