삼성, 또 ‘반도체 초격차’…EUV 적용 ‘업계 최선단 14나노 D램’ 양산

EUV 5개 레이어 공정 도입…업계 가장 높은 웨이퍼 집적도, 생산성 20%↑

DDR4 대비 속도 2배, 소비전력 약 20% 개선…차세대 DDR5 대중화 선도

삼성전자가 또 한번 메모리반도체 부문에서 '초격차' 경쟁력을 입증하고 나섰다.  EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 공정을 레이어(층)에 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산을 시작한 것이다. 

12일 삼성전자에 따르면, 회사는 다섯(5) 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램을 양산, 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성을 약 20% 향상시켰다. 또한 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다.

삼성전자는 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 D램의 성능과 수율을 향상시켜, 14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보하겠다는 각오다. 
 

삼성전자, 업계 최선단 14나노 EUV DDR5 D램 양산 [사진=삼성전자 제공]

앞서 삼성전자는 2020년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있다. 이후 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용하겠다고 공언했었다. 이번에 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화된 공정 기술력을 잇달아 선보임에 따라, 삼성전자는 메모리반도체 부문 '초격차' 경쟁력을 계속 유지할 전망이다.

D램 가격 경쟁력도 높일 수 있게 됐다. 한진만 메모리담당 부사장은 지난 7월 열린 2분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "올 하반기 내놓을 14나노 D램은 14나노대에서 구현 가능한 최소의 선폭"이라며 "EUV를 D램 공정에 선제적으로 적용한 만큼 장기적인 기술리더십 유지의 발판을 확보했다"고 설명했다. 그러면서 DDR5 등 D램 원가경쟁력에 대해 "14나노 기반의 DDR5 제품은 EUV를 적용해 전체 공정이 감소하면서 원가를 줄일 수 있다"고 설명했다.

이에 따라 삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다. 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 계속 늘고 있다.

삼성전자는 업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현, DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다. 또한 고용량 데이터 시장 수요에 적극적으로 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.

이주영 메모리사업부 D램개발실장(전무)은 "지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해, 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며, 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다"며 "고용량, 고성능뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다"고 밝혔다.