[컨콜 종합] 삼성전자, 반도체 경쟁력 원상회복… "HBM4·3E, 파운드리 모두 호조"

"HBM4 이미 전 고객사에 샘플 출하…고성능 저전력, 니즈 충족"

"HBM3E 판매량, 전분기比 80%대 증가… 파운드리 역대 최대 수주"

삼성전자 서초사옥 간판 [사진=연합뉴스]

삼성전자는 30일 2025년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 고대역폭메모리(HBM) 등 반도체 경쟁력을 회복한 자신감을 가감없이 드러냈다.

삼성전자는 이날 3분기 실적발표에서 연결 기준 매출 86조617억원, 영업이익 12조1661억원을 기록했다고 밝혔다. 매출은 전년 동기 대비 8.8% 증가, 영업이익은 32.5% 증가했다.

호실적을 이끈 건 단연 반도체 사업(DS 부문)이다. DS부문의 3분기 매출액은 5세대 고대역폭메모리(HBM3E)와 서버 솔리드스테이트드라이브(SSD) 판매 호조세로 33조1000억원, 영업이익 7조원으로 집계됐다. 메모리 매출액은 분기 기준 사상 최대다.

특히 HBM 경쟁력이 회복돼 주목된다. 삼성전자는 컨콜에서 "HBM3E 판매량이 전분기 대비 80% 중반대 이상 확대됐다"며 "레거시 HBM 제품의 소량 수준을 제외하고는 전량 HBM3E로 판매 비중이 전환됐다"고 밝혔다.

HBM4 고객사 관련 질문에 대해선 "HBM4는 이미 모든 고객사에 샘플 출하가 완료됐다"며 "고객사 계약 사항을 구체적으로 밝힐 수 없으나 고객 일정에 맞춰 양산 출하 준비가 돼 있다"고 설명했다.

이어 "최근 고객사들 사이에서 그래픽처리장치(GPU) 성능 경쟁이 심화됐고, 기존 계획을 변경해 더 높은 성능의 HBM4 제품을 요구하는 사례가 늘고 있다"며 "삼성전자는 HBM4 개발 착수단계부터 시장의 니즈를 반영해 성능 목표를 설정했고, 현재 고객들에게 전달된 샘플도 11Gbps 이상의 성능을 저전력으로 충분히 만족시킬 수 있다"고 했다.

삼성전자는 파운드리(반도체 위탁생산) 부문도 "2나노(나노미터·1㎚=10억분의 1m) 대형 고객 수주 등 선단 공정을 중심으로 역대 최대 수주 실적을 기록했다"고 밝혔다.

이어 "파운드리는 올해 3·4분기에 지난 분기 발생한 일회성 비용이 감소했고, 선단 공정을 중심으로 가동률이 개선된 가운데 원가 절감 효과가 더해져 적자폭이 대폭 축소됐다"고 말했다.

또 "4·4분기에는 2나노 1세대 공정을 적용한 신제품의 본격 양산과 함께 미국 및 중국 주요 거래선의 HPC, 오토 수요 강세 제품과 메모리 제품 확대 판매 등을 통해 매출이 증가할 것으로 예상된다"고 전망했다.