삼성전자가 세계 최초로 5세대 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m)급 D램을 내년 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다. 기술력으로 '초격차'를 유지해 추격해오고 있는 경쟁사들과의 차이를 벌리겠다는 선언이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 5일(현지시간) 미 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이'에서 "내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고, 2024년에는 9세대 V낸드(Vertical NAND)를 양산할 계획"이라고 발표했다.

'삼성 테크 데이'는 삼성전자가 2017년부터 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리다. D램은 가령 휴대전화 사진 촬영 후 저장 이전 단계에 이용되는 단기 기억 반도체이고, 낸드는 촬영 후 저장 시 사용되는 장기 기억 반도체다.

삼성전자는 올해 하반기에 8세대 V낸드를 생산한 데 이어 내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고 2년 뒤 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 구체적인 로드맵을 제시했다.

현재 D램은 4세대 10나노급이 생산 중이고, 데이터를 저장하는 셀(cell·저장공간)을 수직으로 쌓는 형태의 V낸드는 7세대를 양산 중이다.

향후 양산될 8세대 V낸드는 7세대보다 단위 면적당 저장되는 비트 수가 42% 향상됐다. 5세대 10나노급 D램은 기존 같은 사양의 4세대보다 크기는 작고 성능은 뛰어나다.

삼성전자는 8세대 V낸드 512Gb TLC(Triple Level Cell·1개 셀에 3개 비트 저장) 제품도 공개하며, 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이라고 설명했다.

삼성전자는 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1천단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다고 목표도 밝혔다. 이는 현재 176단의 7세대 V낸드보다 5배 이상 저장할 수 있다.

자율주행(AD), 첨단운전자지원시스템(ADAS) 등 차량용 메모리 시장 진입 10년이 되는 2025년에는 해당 시장에서 1위를 달성하겠다는 목표도 제시했다. 아울러 시스템 반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 '통합 솔루션 팹리스'로 거듭 나겠다는 의지도 표명했다.

박용인 삼성전자 시스템LSI 사업부장(사장)은 "우리는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, 모뎀 등 900여개의 시스템 반도체 포트폴리오를 보유하고 있다"며 "다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 '통합 솔루션 팹리스'가 될 것"이라고 말했다.

시스템LSI 사업부도 이날 시스템온칩과 차량용 5G 모뎀 등 차세대 시스템 반도체 제품도 공개했다. 박 사장은 "4차 산업혁명 시대에는 초지능화, 초연결성, 초데이터가 요구된다"며 "이를 위해 삼성전자는 인간 수준에 근접하는 성능을 가진 최첨단 시스템 반도체를 개발하겠다"고 강조했다.
 

[사진=삼성전자]


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