[NNA] 삼성전자 DRAM 양산, EUV 첫 도입

[삼성전자가 EUV 노광장치를 이용해 제조한 1세대 10나노급 DDR4 DRAM제품 =한국(삼성전자 제공)]

삼성전자는 25일 업계 최초로 최첨단 극자외선(EUV) 노광장치를 이용한 DRAM의 양산 체제를 구축했다고 밝혔다. 차세대 DRAM부터는 EUV를 통한 제조공정을 전면적으로 도입할 계획이다.

삼성은 최근 회로선폭이 10나노(나노는 10억분의 1)급 1세대(1x) 공정에서 EUV공정을 적용해 제조한 DDR4형 DRAM모듈 100만개 이상을 고객들에게 제공했다고 한다.

한국 언론에 의하면, 삼성은 지난해 9월 10나노급 제3세대(1z)공정에 DRAM 양산을 개시한 후, 미세작업에서 한계에 봉착, EUV 도입에 나섰다고 한다.

현재는 4세대(1a)공정에 EUV 도입을 추진하고 있으며, 양산에 성공하면 12인치 웨이퍼 당 생산성은 1세대의 2배가 된다고 한다.