안덕근 산업장관 "용인 반도체 클러스터 인프라 적기 구축할 것"

초격차 기술 확보·수출확대 지원 등 약속

첨단전략산업 특화단지 종합지원방안 마련 계획

SK하이닉스 용인 반도체 일반산업단지 완성 조감도.[사진=산업통상자원부]

안덕근 산업통상자원부 장관은 21일 SK하이닉스 용인 반도체 일반산업단지(클러스터)를 방문해 현장 간담회를 열고 인프라 적기 구축 등을 약속했다. 

'반도체 메가 클러스터 조성방안'의 핵심지역인 SK하이닉스 용인 반도체 일반산단은 2019년 조성계획 발표 후 인·허가 문제로 개발이 지연됐다. 이후 2022년 11월 당·정·지자체·기업 간 상생협약이 체결돼 사업이 본격적으로 시작됐다. 1기 팹(Fab) 부지는 약 35%의 공정률을 보이며 부지 공사가 진행 중이다. 

오는 2046년까지 120조원 이상의 투자를 통해 총 4기 팹 구축을 목표로 하며 내년 3월에는 생산 팹 1기가 착공된다. 생산 팹이 완공될 경우 세계 최대 규모의 3층 팹이 될 전망이다.

이날 간담회에서 안덕근 장관은 △인프라 적기 구축 △초격차 기술 확보·수출 확대 지원 △반도체 소부장(소재·부품·장비)·팹리스 생태계 강화를 약속했다. 산업부는 클러스터 내 인프라 구축을 지원하기 위해 지난달 전력공급 전담반(TF)을 발족했으며 이달까지 반도체 등 첨단특화단지 지원 전담부서 설치와 '첨단전략산업 특화단지 종합 지원방안'을 마련할 예정이다.

아울러 인공지능(AI) 반도체와 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 증가하는 상황에서 올 상반기 안에 반도체 장비 경쟁력 강화방안을 마련할 예정이다. 또 AI 반도체 시장 선점을 위한 종합전략도 이른 시일 내에 마련한다.

이밖에 소부장 기술의 양산 검증 테스트베드인 용인 미니팹 사업에 대한 예비타당성 조사를 차질 없이 진행하고 경쟁력 있는 소부장·팹리스 기업들을대상으로 정책 자금을 공급한다.

안덕근 장관은 "올해 기업들이 반도체 1200억 달러 수출 목표를 달성할 수 있도록 HBM 등 첨단 반도체의 수출 확대를 적극 지원하겠다"고 말했다.