삼성전자, 업계 최초 '36GB HBM3E' 개발 성공

1초에 UHD 영화 40여편 지원…올해 상반기 양산

삼성전자가 업계 최초로 36GB의 고용량 5세대 HBM 개발에 성공하며 시장 선점에 나선다.
 
삼성전자는 27일 36GB HBM3E 12H(단 적층) D램 개발에 성공했다고 밝혔다. 24Gb(3GB) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량을 구현했다. TSV는 수천개 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다.
 
HBM3E 12H는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3 8H 대비 50% 이상 개선했다. 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 40여편을 내려받을 수 있는 속도를 지원한다.
 
특히 열압착 비전도성 접착 필름(Advanced TC NCF) 기술로 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다는 게 회사 측 설명이다. 이 기술은 HBM 적층 수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 휘어짐 현상을 최소화해 준다.
 

또 NCF 소재 두께를 지속 낮춤으로써 업계 최소 칩 간 간격인 7마이크로미터(㎛)를 구현했다. 이를 통해 HBM3 8H 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다.
 
향후 인공지능(AI) 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업에 최고의 솔루션이 될 것이란 기대다. 성능과 용량이 증가한 만큼 그래픽처리장치(GPU) 사용량이 줄어 기업이 총 소유 비용(TCO)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리도 유연하게 할 수 있다는 장점이다
 
배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장(부사장)은 "AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 말했다.
 
한편 삼성전자는 HBM3E 12H의 샘플을 고객사에 제공하기 시작했다. 올해 상반기 양산할 예정이다.
 

삼성전자의 HBM3E 12H D램 [사진=삼성전자]