삼성전자‧SK하이닉스, DDR4 시대 앞당긴다… 하반기 인텔발 서막

삼성전자 DDR4 메모리 모듈.

아주경제 이재영 기자 = 삼성전자와 SK하이닉스가 DDR3에 이어 DDR4 시대를 선도하고 있다.

DDR4 지원 서버 등 신시장 창출이 올 하반기부터 본격화됨에 따라 DDR4 개발에 역량을 집중하고 있는 것이 주목된다.

9일 업계에 따르면 삼성전자는 올 하반기 DDR4를 지원하는 인텔의 제온 프로세서 E5-2600 v3 제품군 출시에 대비해 자사 DDR4 모듈 생산 수율을 끌어올리는 데 가속도를 내고 있다.

삼성전자 반도체 메모리 마케팅 부문 짐 엘리엇 부사장은 “삼성은 차세대 인텔 제온 프로세서 E5-2600 v3 제품군 도입에 대비하는 DDR4 산업을 선도하고 있다”며 “올 하반기 D램의 거대 시장 창출에 기여할 계획”이라고 말했다. 그는 또한 “글로벌 고객사들이 차세대 엔터프라이즈 서버를 출시하고 IT 투자효과를 극대화할 수 있도록 고밀도의 DDR4 모듈을 지속 개발할 것”이라고 덧붙였다.

이와 관련, 인텔 PMO 메모리 부문 임원 조프 파인들리는 “삼성의 새로운 20나노 공정 기술이 인텔 제온 프로세서 E5-2600 v3 제품군 출시와 연관된 DDR4의 채택 붐에 중대한 역할을 할 것”이라고 말했다. 아울러 “삼성의 DDR4 메모리와 인텔 제온 프로세서 E5-2600 v3 기반 시스템의 결합은 엔터프라이즈와 데이터 센터 시장의 고성능, 저전력 혁신을 이끌 것”이라고 기대했다.

지난해 8월 삼성전자가 양산에 돌입한 20나노급 DDR4는 초당 데이터 처리 속도가 최대 2667Mbps에 이른다. 이는 기존 DDR4 메모리보다 1.25배 빠른 처리 속도다. 또한 1.2~1.65V의 전력을 소모하는 DDR3에 비해 1.05~.12V밖에 소모하지 않는다.
 

SK하이닉스 128GB DDR4 모듈.

SK하이닉스도 최근 20나노급 8Gb DDR4 기반 128GB 모듈을 세계 최초로 개발, 획기적인 기술 성과를 이어가고 있다. 이 제품은 2133Mbps를 구현했으며, 동작전압도 1.2V까지 낮췄다. SK하이닉스는 내년 상반기부터 이 제품을 본격 양산할 계획이다.

SK하이닉스 DRAM개발본부장 홍성주 전무는 “세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발함으로써 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있다”며 “향후에도 고용량, 초고속, 저전력 제품을 지속 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해 나갈 것”이라고 말했다.

한편, 엘피다를 인수하며 한국 반도체 기업을 추격하고 있는 마이크론도 DDR4 생산에 최근 진입했다. 마이크론 역시 인텔의 제온 프로세서 E5-2600 v3 제품군 기반의 시스템을 지원하기 위해 2133Mbps가 가능한 4Gb 기반 DDR4 모듈을 생산한다. 또한 DDR3와 비교해 35%까지 향상된 파워와 성능을 낸다는 게 마이크론의 목표다.

한편, 시장조사기관 가트너는 서버용 D램 시장이 2018년까지 연평균 37%의 고성장을 이어갈 것으로 전망했다. 아울러 DDR4 D램은 2015년 시장이 본격화돼 2016년엔 주력 상품이 될 것으로 내다봤다.