HBM5부터 2나노 웨이퍼까지…삼성전자, 'OCP 2026'서 차세대 메모리 솔루션 공개

AMD와 CXL 메모리 확장 공동 시연

심호준 삼성전자 반도체(DS) 부문 메모리사업부 AE팀 상무가 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 'OCP 글로벌 서밋 2026'에서 기조연설을 발표하고 있는 모습 [사진=삼성전자]

 

삼성전자가 12일(현지시간) 개막한 'OCP 글로벌 서밋 2026'에 최고 등급인 다이아몬드 스폰서로 참가해 인공지능(AI) 인프라 성능 향상을 위한 차세대 메모리·스토리지 기술 전략과 글로벌 파트너 협업 성과를 공개했다.

13일 업계에 따르면 삼성전자는 이번 행사에서 △ 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 및 맞춤형  HBM 등 고성능 메모리 △ CXL 기반 메모리 확장 기술 △ 차세대 SSD를 활용한 데이터 저장·관리 기술 등 세 가지 기술 방향을 제시했다.

심호준 삼성전자 AE팀 상무는 기조연설을 통해 속도, 메모리 확장성, 데이터 영속성을 핵심 축으로 한 기술 전략을 발표했다. 심 상무는 "대형화되는 AI 모델과 추론 데이터 증가에 대응하기 위해 메모리 대역폭 확장은 물론 용량 확보와 데이터 관리 기술의 중요하다"고 강조했다.

글로벌 기업들과의 기술 협력 성과도 선보였다. 삼성전자는 AMD와 CXL 기반 메모리 확장 솔루션을 공동 시연하며 CMM-D 기반 메모리 풀링 기술을 통해 AI 시스템의 메모리 용량을 유연하게 확장하는 방안을 제시했다.

전시 현장에서는 차세대 메모리 기술력을 경험할 수 있는 2개의 전용 공간도 운영한다. HBM4E·HBM5 콘셉트 목업과 LPDDR5X-PIM 등 고성능·저전력 메모리를 비롯해 2나노 GAA 웨이퍼, 그록 LPU 웨이퍼, 엔비디아 그록3 LPX 시스템 등을 전시해 파운드리 및 패키징을 아우르는 종합 기술력을 소개할 예정이다. 

시장조사기관에 따르면 삼성전자는 올 2분기 기준 글로벌 D램 시장 점유율 39%(카운터포인트리서치), 낸드플래시 시장 점유율 29.3%(트렌드포스)로 각각 1위를 차지했다.

또다른 시장조사업체 옴디아는 "올해 삼성전자의 D램 및 낸드 웨이퍼 생산량이 업계 최대 수준을 기록할 것"으로 전망했다.