안현 SK하이닉스 사장 "AI시대, HBM 넘어 새 메모리 계층 필요"…차세대 전략 제시

SEDEX 2026 기조연설…AI 추론 확대에 따른 새로운 메모리 병목 진단

맞춤형 AI 메모리 수요 강조…HBF 등 차세대 기술 로드맵 제시

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장이 14일 오전 서울 코엑스에서 열리는 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)' 기조강연에서 발표하고 있다. [사진=박진영 기자]

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 차세대 메모리 시장을 겨냥한 기술 전략을 구체화했다. 인공지능(AI) 추론 시장의 급성장으로 메모리 간 데이터 이동이 새로운 병목으로 부상하면서, 맞춤형 HBM과 고대역폭 플래시(HBF), 3차원 적층 D램 등을 통해 AI 반도체 시장의 주도권을 이어간다는 구상이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)' 기조연설에서 "AI 인프라의 지속적인 성장을 위해서는 개별 메모리의 성능 향상을 넘어 전체 메모리 계층을 최적화하는 접근이 필요하다"고 강조했다.

안 사장은 'AI 시대, 메모리 기술의 진화 방향'을 주제로 한 강연에서 AI 추론 수요가 빠르게 증가하면서 기존 메모리 구조의 한계가 드러나고 있다고 진단했다. AI 모델의 복잡도와 처리해야 할 정보량, 추론 요청량이 동시에 늘면서 2030년 AI 인프라 규모가 올해 대비 19배 확대될 것으로 전망했다.

특히 기존에는 연산기와 메모리 사이의 속도 차이가 문제였다면, 앞으로는 HBM과 D램, 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 서로 다른 메모리 계층 간 데이터 이동이 새로운 병목이 될 것으로 내다봤다. 이에 기존 메모리의 성능을 높이는 동시에 각 계층 사이에 새로운 메모리 기술을 도입해야 한다는 설명이다.

우선 HBM은 고객별 AI 시스템에 맞춰 기능을 설계하는 맞춤형 제품으로 진화시킨다. SK하이닉스는 HBM4E와 HBM5 등 차세대 제품을 개발하는 한편, 베이스 다이에 고객이 요구하는 기능을 탑재하는 맞춤형 HBM을 준비하고 있다.

안 사장은 "표준형 HBM과 맞춤형 HBM이 병행하겠지만 장기적으로는 맞춤형 트렌드가 더 확대될 것"이라며 "고객을 충분히 만족시킬 수 있는 여러 핵심 기술을 갖추고 준비하고 있다"고 말했다.

HBM 이후 기술로는 HBF와 3차원 적층 D램을 제시했다. HBF는 HBM의 적층 기술을 낸드플래시에 적용한 차세대 메모리다. SK하이닉스는 동세대 HBM 대비 절반 수준의 데이터 전송 대역폭과 10배 이상의 저장 용량을 개발 목표로 제시했다.

HBF 표준화도 속도를 낸다. SK하이닉스는 샌디스크와 구글 등 글로벌 파트너들과 협력해 올해 7월 오픈컴퓨트프로젝트(OCP)에서 초기 규격을 공개했으며, 내년 1월 최종 규격을 마련할 계획이다. 안 사장은 "여러 고객과 파트너들이 함께 규격을 정의하고 표준을 제정해 생태계를 만드는 접근이 AI 시대에는 꼭 필요하다"고 강조했다.

3차원 적층 D램은 그래픽처리장치(GPU) 등 연산용 반도체 위에 D램을 직접 쌓는 기술이다. 기존 HBM 대비 입출력 연결을 수십 배 확대해 데이터 전송 성능을 높이고 전력 소모를 줄이는 것이 목표다.

차세대 기업용 SSD 기술인 '스토리지 넥스트(Storage-Next)'도 개발 중이다. 낸드와 컨트롤러 구조를 재설계해 기존 대비 입출력 처리 성능을 4~8배 높이는 기술로, 고객사와 공동 개발을 추진하고 있다.

안 사장은 "메모리를 부품 그 자체로만 보지는 않는다"며 "고객마다 요구하는 기술이 다른 만큼 새로운 메모리 솔루션을 통해 AI 생태계의 지속적인 성장을 이끌겠다"고 밝혔다.